이 기술 요약은 B. Ryu 외 저자들이 2017년 arXiv에 발표한 논문 “Thermoelectric power factor of Bi-Sb-Te and Bi-Te-Se alloys and doping strategy: First-principles study”를 기반으로 하며, STI C&D에서 기술 전문가를 위해 분석 및 요약했습니다.
키워드
- Primary Keyword: 열전 파워 팩터(Thermoelectric Power Factor)
- Secondary Keywords: Bi-Sb-Te 합금, Bi-Te-Se 합금, 제1원리 계산, 도핑 전략, 열전 재료, 볼츠만 수송 방정식
Executive Summary
- The Challenge: 에너지 변환 소자에 사용되는 Bi₂Te₃ 기반 삼원계 합금의 열전 성능(열전 파워 팩터)을 극대화하여 효율을 높이는 것이 핵심 과제입니다.
- The Method: 제1원리 계산과 볼츠만 수송 방정식을 결합하여 (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ (BST) 및 Bi₂(Te₁₋ᵧSeᵧ)₃ (BTSe) 삼원계 합금의 열전 특성을 합금 조성비, 캐리어 농도, 온도의 함수로 분석했습니다.
- The Key Breakthrough: p형 BST의 최적 정공 농도는 약 4×10¹⁹ cm⁻³이며, n형 BTSe의 최적 전자 농도는 6×10¹⁹ cm⁻³ 이상으로 외부 도핑이 필요함을 규명했고, Cl, Br, I가 효과적인 n형 도펀트 후보임을 밝혔습니다.
- The Bottom Line: 본 연구는 정밀한 조성 및 도핑 제어를 통해 BST 및 BTSe 합금의 열전 성능을 최적화할 수 있는 명확한 계산적 로드맵을 제공하여, 고효율 열전 소자 개발에 기여합니다.
The Challenge: Why This Research Matters for CFD Professionals
열전 기술은 폐열을 전기로 직접 변환하거나 냉각 장치에 활용되는 핵심 기술로, 그 효율은 열전 재료의 성능 지수(ZT)에 의해 결정됩니다. ZT는 시벡 계수(Seebeck coefficient), 전기 전도도, 열전도도에 따라 결정되며, 높은 ZT 값을 얻기 위해서는 높은 ‘열전 파워 팩터(Power Factor, PF)’와 낮은 열전도도가 동시에 요구됩니다.
상온 근처에서 우수한 성능을 보이는 Bi₂Te₃는 Sb₂Te₃나 Bi₂Se₃와의 합금화를 통해 p형 및 n형 열전 재료로 최적화됩니다. 합금화는 포논 산란을 증가시켜 열전도도를 낮추는 동시에, 밴드 구조를 변화시켜 전기적 특성을 제어하는 중요한 역할을 합니다. 하지만 기존 연구는 주로 이원계 합금에 집중되어 있었고, 삼원계 합금의 조성비, 캐리어 농도, 온도에 따른 열전 특성에 대한 체계적인 이론 연구는 부족했습니다. 이러한 이론적 이해의 부재는 고성능 삼원계 열전 재료의 개발을 더디게 만드는 요인이었습니다.
The Approach: Unpacking the Methodology
본 연구는 제1원리 밀도 범함수 이론(DFT) 계산과 볼츠만 수송 방정식을 결합하여 BST 및 BTSe 합금의 전자 밴드 구조와 열전 특성을 정밀하게 분석했습니다.
- 계산 도구: DFT 계산에는 VASP(Vienna Ab initio Simulation Package) 코드를 사용했으며, 볼츠만 수송 방정식 계산에는 BoltzTraP 코드를 활용했습니다.
- 계산 조건: 프로젝터 보강 파동(PAW) 유사 전위와 일반화된 기울기 근사(GGA) 교환-상관 함수를 사용했습니다. 특히 Bi₂Te₃ 계열 중원소 물질의 저에너지 밴드 구조를 정확히 기술하기 위해 스핀-궤도 상호작용을 포함했습니다.
- 모델링: 이원계 화합물은 5개 원자로 구성된 능면체 원시 세포를, 삼원계 화합물은 20개 원자로 구성된 (2×2×1) 능면체 초격자(supercell)를 사용하여 모델링했습니다.
- 정확도 향상: DFT-PBE 계산에서 발생하는 밴드갭 과소평가 문제를 극복하기 위해, Bi₂Te₃(0.16 eV), Sb₂Te₃(0.23 eV), Bi₂Se₃(0.30 eV)의 실험적 또는 GW 보정된 밴드갭 값을 적용했습니다. 이를 통해 특히 고온에서의 양극성 수송 효과를 더 정확하게 예측할 수 있었습니다.
- 전자 완화 시간(τ) 추정: 계산된 열전 특성(α, σ)과 실험값을 비교하여 정공(1.8×10⁻¹⁴ sec) 및 전자(1.8×10⁻¹⁴ sec)의 완화 시간을 추정하고, 이를 전체 계산에 적용하여 신뢰도를 높였습니다.
The Breakthrough: Key Findings & Data
Finding 1: p형 BST 합금의 최적 캐리어 농도 및 성능
p형 BST 합금의 경우, 열전 파워 팩터는 정공 농도 약 4×10¹⁹ cm⁻³에서 최대값을 나타냈습니다. 이 농도는 Sb를 합금함으로써 추가적인 외부 도펀트 없이 달성 가능한 수준입니다. Sb의 함량이 증가함에 따라 파워 팩터는 약간 감소하는 경향을 보였지만, Bi₂Te₃와 비교할 만한 우수한 성능을 유지했습니다.
특히 논문의 Figure 6는 온도에 따른 p형 BST의 파워 팩터 변화를 보여줍니다. 최적 농도인 4×10¹⁹ cm⁻³에서 파워 팩터는 약 400K 근처에서 최대치를 보인 후 온도가 증가함에 따라 감소합니다. 이는 저농도 영역에서 고온으로 갈수록 소수 캐리어에 의한 양극성 수송 효과가 커져 성능이 저하됨을 의미합니다.

Finding 2: n형 BTSe 합금의 최적 캐리어 농도 및 도핑 전략
n형 BTSe 합금은 p형 BST보다 더 높은 최적 캐리어 농도를 요구했습니다. 계산 결과, 최적 전자 농도는 6×10¹⁹ cm⁻³ 이상으로 나타났으며, 이는 Se 합금만으로는 도달하기 어려워 추가적인 외부 도펀트가 필수적임을 시사합니다.
본 연구는 할로겐 원소(F, Cl, Br, I)를 n형 도펀트 후보로 고려하고 결함 형성 에너지 계산을 수행했습니다. Figure 8에 따르면, Cl, Br, I는 Te(2) 자리를 치환하는 결함이 가장 안정하며, Figure 9의 상태 밀도(DOS) 분석 결과 이들이 전도대 최저점에 전자를 제공하는 얕은 주개(shallow donor)로 작용함을 확인했습니다. 반면, F는 주개와 받개(acceptor) 역할을 모두 할 수 있는 양극성 결함(bipolar defect)을 형성하여 자체 보상 효과로 인해 효과적인 도펀트가 아님이 밝혀졌습니다. 따라서 고농도의 n형 BTSe 재료를 구현하기 위해서는 Cl, Br, I 도핑이 유망한 전략입니다.
Practical Implications for R&D and Operations
- For Process Engineers: 이 연구는 목표 성능을 달성하기 위한 재료 합성 가이드라인을 제공합니다. p형 BST의 경우, Sb의 조성비(x)를 정밀하게 제어하여 정공 농도를 4×10¹⁹ cm⁻³에 가깝게 맞추는 것이 중요합니다. n형 BTSe의 경우, 목표 전자 농도(6×10¹⁹ cm⁻³ 이상)를 달성하기 위해 Se 합금과 더불어 Cl, Br, 또는 I와 같은 할로겐 원소를 함께 도핑하는 공정 개발이 필요합니다.
- For Quality Control Teams: 본 연구에서 BTSe의 수송 이방성(anisotropy)이 BST보다 심각하다는 점(~4.8 vs ~2.3)이 밝혀졌습니다. 이는 결정 방향에 따라 전기 전도도가 크게 달라짐을 의미합니다. 따라서 품질 관리 시, 재료의 면 방향(in-plane)과 면 수직 방향(out-of-plane)의 열전 특성을 각각 측정하여 이방성을 평가하고 소자의 성능을 정확히 예측하는 기준을 수립해야 합니다.
- For Design Engineers: 소자의 작동 온도는 재료 선택의 중요한 기준이 됩니다. Figure 6과 7의 데이터에 따르면, p형 BST는 300-400K 범위에서 최적의 성능을 보이지만, n형 BTSe는 400-500K까지도 파워 팩터가 안정적으로 유지됩니다. 따라서 상대적으로 높은 온도에서 작동하는 n형 레그(leg)를 설계할 때 BTSe가 더 적합할 수 있으며, 이는 열전 모듈의 전체 효율 설계에 중요한 고려사항이 됩니다.
Paper Details
Thermoelectric power factor of Bi-Sb-Te and Bi-Te-Se alloys and doping strategy: First-principles study
1. Overview:
- Title: Thermoelectric power factor of Bi-Sb-Te and Bi-Te-Se alloys and doping strategy: First-principles study
- Author: Byungki Ryu, Jaywan Chung, Bong-Seo Kim, Su-Dong Park, Eun-Ae Choi
- Year of publication: 2017
- Journal/academic society of publication: arXiv (Preprint)
- Keywords: Thermoelectric power factor, Bi-Sb-Te, Bi-Te-Se, First-principles study, Doping
2. Abstract:
제1원리 계산과 볼츠만 수송 방정식을 결합하여 (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ (BST, 0 ≤ x ≤ 1) 및 Bi₂(Te₁₋ᵧSeᵧ)₃ (BTSe, 0 ≤ y ≤ 1) 삼원계 합금의 열전 파워 팩터(PF)를 합금 조성비, 캐리어 농도, 온도의 함수로 계산했다. 구조 완화와 혼합 엔트로피는 삼원계 고용체 상을 안정화시킬 수 있다. p형 BST의 경우, 삼원계의 열전 성능은 Bi₂Te₃와 비슷하며 최대 PF는 정공 농도 약 4×10¹⁹ cm⁻³에서 발견된다. n형 BTSe의 경우, 열전 성능은 조성 및 구성에 따라 달라지며 최적 캐리어 농도는 BST와 비슷하거나 더 높다. y가 1/3보다 작을 때 BTSe의 PF는 Bi₂Te₃와 비슷하지만, y가 1에 가까워지면 열전 성능이 감소한다. 또한 BST의 열전 성능이 BTSe보다 우수한데, 이는 BST의 더 긴 전자 완화 시간과 Bi₂Se₃ 전도대의 작은 밸리 밴드 축퇴 때문이다. 전자 수송 이방성은 BST(~2.3)에 비해 BTSe(~4.8)에서 더 높으며, 이는 BTSe의 면 수직 방향 전기 전도가 불량하기 때문이다. 온도 효과도 조사했다. p형 BST의 경우, 밴드갭 효과가 PF에 미치는 영향은 비교적 작고 최적 캐리어 농도에서의 PF는 온도가 증가함에 따라 감소한다. n형 BTSe의 경우, 최적 도핑 범위에서의 PF는 온도가 400 또는 500K 미만일 때까지 유지된다. p형 BST의 최적 도핑 농도는 약 4×10¹⁹ cm⁻³이며, 이는 Sb 합금으로 달성 가능하다. n형 BTSe의 최적 도핑 농도는 약 6×10¹⁹ cm⁻³ 이상으로, 추가적인 외부 도핑이 필요하다. 점결함 형성 에너지 계산 결과, Cl, Br, I 불순물은 n형 캐리어 소스의 잠재적 후보이며, F와 Au는 보상 결함이다.
3. Introduction:
열전 기술은 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미하며, 온도계, 발전기, 냉장고 등에 적용될 수 있다. 열전 응용을 위해서는 높은 성능과 효율의 에너지 변환이 바람직하다. 열전 변환 효율은 무차원 파라미터인 열전 성능 지수 ZT = (σα²/κ)T로 결정되며, 여기서 α, σ, κ, T는 각각 시벡 계수, 전기 전도도, 열전도도, 절대 온도이다. 합금화는 여러 이유로 높은 ZT 열전 재료를 얻는 최상의 경로 중 하나이다. 재료 합금화는 포논 수송 중 포논-산란 이벤트를 강화하여 포논 기여 열전도도(κph)를 감소시킬 수 있다. 또한, 공명 준위 형성이나 밴드 수렴을 통해 상태 밀도 유효 질량을 향상시켜 시벡 계수를 높임으로써 전기적 특성을 최적화할 수도 있다. Bi₂Te₃는 200~500K 온도 범위에서 작동하는 최고의 열전 재료 중 하나로, 좁은 밴드갭 반도체 특성과 강한 스핀-궤도 상호작용 효과 외에 높은 밴드 축퇴를 보인다. 결과적으로 p형 조건에서 상온 근처에서 약 3~5 mW/m/K²의 높은 파워 팩터(PF)를 가진다. Bi₂Te₃의 경우, 합금화는 열전 특성을 최적화하는 중요한 과정이다. Sb₂Te₃와 Bi₂Se₃를 합금함으로써 캐리어 농도와 페르미 준위 위치를 조절하여 최종적으로 p형 및 n형 열전 재료를 얻을 수 있다. 물론, 합금화로 κph도 감소한다.
4. Summary of the study:
Background of the research topic:
고효율 열전 재료 개발은 폐열 회수 및 친환경 냉각 기술의 핵심이다. Bi₂Te₃ 기반 합금은 상온 영역에서 가장 우수한 성능을 보이는 재료로, 이들의 성능을 극대화하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
Status of previous research:
이전 연구들은 Bi₂Te₃와 Sb₂Te₃ 또는 Bi₂Se₃를 섞은 이원계 합금의 실험적, 이론적 특성 분석에 집중되어 있었다. 그러나 삼원계 합금((Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃, Bi₂(Te₁₋ᵧSeᵧ)₃)의 조성, 캐리어 농도, 온도에 따른 열전 특성을 체계적으로 다룬 이론 연구는 부족한 실정이었다.
Purpose of the study:
본 연구의 목적은 제1원리 계산과 볼츠만 수송 방정식을 이용하여 BST 및 BTSe 삼원계 합금의 열전 파워 팩터를 합금 조성비, 캐리어 농도, 온도의 함수로 체계적으로 계산하고, 최대 파워 팩터를 달성하기 위한 최적의 도핑 전략을 제시하는 것이다.
Core study:
연구의 핵심은 (1) BST 및 BTSe 삼원계 합금의 고용체 모델을 생성하고, (2) 제1원리 계산을 통해 전자 구조를 분석하며, (3) 볼츠만 수송 방정식을 이용해 다양한 조건에서의 열전 파워 팩터를 계산하는 것이다. 이를 통해 p형 BST와 n형 BTSe에 대한 최적 캐리어 농도를 도출하고, 특히 n형 BTSe에 필요한 외부 도펀트로서 할로겐 원소의 유효성을 이론적으로 검증했다.
5. Research Methodology
Research Design:
본 연구는 계산 과학적 접근법을 채택했다. 제1원리 DFT 계산을 통해 재료의 기본적인 전자 구조를 얻고, 이를 볼츠만 수송 방정식에 입력하여 거시적인 열전 수송 특성(시벡 계수, 전기 전도도)을 예측하는 방식으로 설계되었다.
Data Collection and Analysis Methods:
- 전자 구조 계산: VASP 코드를 사용하여 DFT 계산을 수행했다. 이원계 및 삼원계 화합물에 대해 각각 5원자 원시 세포와 20원자 초격자 모델을 사용하고, 감마 중심의 k-포인트 격자를 적용했다.
- 열전 특성 계산: BoltzTraP 코드를 사용하여 시벡 계수(α), 전기 전도도(σ) 등을 계산했다. 계산의 정확도를 높이기 위해 실험적으로 알려진 밴드갭 값을 적용했으며, 전자 완화 시간(τ)은 실험 데이터에 피팅하여 결정했다.
- 결함 분석: 할로겐 도펀트의 안정성과 전기적 특성을 분석하기 위해, 초격자 모델 내에 점결함을 도입하고 결함 형성 에너지와 상태 밀도(DOS)를 계산했다.
Research Topics and Scope:
- 연구 대상: (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ (BST, 0 ≤ x ≤ 1) 및 Bi₂(Te₁₋ᵧSeᵧ)₃ (BTSe, 0 ≤ y ≤ 1) 삼원계 합금.
- 주요 변수: 합금 조성비(x, y), 캐리어 농도(n), 온도(T).
- 분석 범위: 밴드 구조, 상태 밀도, 시벡 계수, 전기 전도도, 열전 파워 팩터, 결함 형성 에너지.
6. Key Results:
Key Results:
- p형 BST의 최적 정공 농도는 약 4×10¹⁹ cm⁻³로, Sb 합금만으로 달성 가능하다.
- n형 BTSe의 최적 전자 농도는 6×10¹⁹ cm⁻³ 이상으로, Se 합금 외에 추가적인 외부 도핑이 필요하다.
- BST의 열전 성능은 BTSe보다 우수하며, 이는 BST의 더 긴 전자 완화 시간과 Bi₂Se₃의 불리한 전도대 구조 때문이다.
- 전자 수송 이방성은 BST(~2.3)보다 BTSe(~4.8)에서 더 크게 나타난다.
- n형 도펀트 후보로 Cl, Br, I가 유망하며, F는 자체 보상 효과로 인해 비효율적이다.
- p형 BST의 파워 팩터는 400K 이상에서 감소하지만, n형 BTSe는 400-500K까지 안정적으로 유지된다.

Figure List:
- Figure 1: The directional average of Seebeck coefficient as a function of carrier concentration is shown for Bi2Te3.
- Figure 2: The directional average of Seebeck coefficient at 300 K is calculated and drawn (a) for p-type and (b) for n-type binary phases of Bi2Te3, Sb2Te3, Bi2Se3, and Sb2Se3 in tetradymite phase.
- Figure 3: The mixing Free energy G of (a) BST and (b) BTSe solutions.
- Figure 4: (a) The PFs along in-plane and (b) along out-of-plane directions are calculated for BST.
- Figure 5: (a) Maximum PF when n is less than 2×10²⁰ cm⁻³ for BST. (b) Maximum PF when n is less than 2×10²⁰ cm⁻³ for BTSe.
- Figure 6: Temperature dependent PFinp and PFoutp for p-Bi2Te3 and p-(Bi0.25Sb0.75)2Te3.
- Figure 7: Temperature dependent PFinp and PFoutp for n-Bi2Te3 and n-Bi2(Te0.917Se0.083)3.
- Figure 8: Defect formation energies are calculated for various point impurities in Bi2Te3.
- Figure 9: Total Density of States for (a) Bi96Te144, (b) Bi96Te143ClTe(1) and (c) Bi96Te144ClINT.
7. Conclusion:
결론적으로, 본 연구는 제1원리 계산과 볼츠만 수송 방정식을 결합하여 Bi-Sb-Te 및 Bi-Te-Se 삼원계 합금의 열전 파워 팩터를 조사했다. Bi-Sb-Te 및 Bi-Te-Se 합금의 열전 성능은 Bi₂Te₃ 이원계와 비슷했다. p형 Bi-Sb-Te의 열전 성능은 n형 Bi-Te-Se보다 우수했는데, 이는 BST의 더 긴 전자 완화 시간과 Bi₂Se₃에서 기인하는 불량한 면 방향 수송 특성 때문이다. 전자 수송 이방성은 BST에 비해 BTSe에서 더 심각했다. p형 Bi-Sb-Te의 최적 도핑 농도는 약 4×10¹⁹ cm⁻³이며, 이는 합금화로 달성 가능하다. n형 Bi-Te-Se의 최적 도핑 농도는 약 6×10¹⁹ cm⁻³ 이상으로 추가적인 외부 도펀트가 필요하다. 점결함 형성 에너지 계산 결과, Bi₂Te₃와 BTSe 내의 Cl, Br, I 불순물은 n형 캐리어 소스의 잠재적 후보이며, F는 자체 보상 결함이다.
8. References:
- D.M. Rowe, Thermoelectrics Handbook, CRC Press, 2006.
- G.J. Snyder, E.S. Toberer, Nat. Mater. 7 (2008) 105.
- H.J. Goldsmid, Introduction to Thermoelectricity, Springer, 2010, pp. 63-78.
- J. Garg, N. Bonini, B. Kozinsky, N. Marzari, Phys. Rev. Lett. 106 (2011) 045901.
- K.F. Hsu, S. Loo, F. Guo, W. Chen, J.S. Dyck, C. Uher, T. Hogan, E.K. Polychroniadis, M.G. Kanatzidis, Science 303 (2004) 818.
- P.F.P. Poudeu, J. D’Angelo, H. Kong, A. Downey, J. L. Short, R. Pcionek, T.P. Hogan, C. Uher, M.G. Kanatizidis, J. Am. Chem. Soc. 128 (2006) 14347.
- Y. Pei, J. Lensch-Falk, E.S. Toberer, D.L. Medlin, G.J. Snyder, Adv. Func. Mater. 21 (2011) 241.
- S.-H. Lo, J. He, K. Biswas, M.G. Kanatizidis, V.P. Dravid, Adv. Func. Mater. 22 (2012) 5175.
- Z. Tian, J. Gar, K. Esfarjani, T. Shiga, J. Shiomi, G. Chen, Phys. Rev. B 85 (2012) 184303.
- L.-D. Zhao, S. Hao, S.-H. Lo, C.-I. Wu, X. Zhou, Y. Lee, H. Li, K. Biswas, T.P. Hogan, C. Uher, C. Wolverton, V. P. Dravid, M.G. Kanatizidis, J. Am. Chem. Soc. 135 (2013) 7364.
- J. P. Heremans, V. Jovovic, E. S. Toberer, A. Saramat, K. Kurosaki, A. Charoenphakdee, S. Yamanaka, G.J. Snyder, Science 321 (2008) 554.
- Y. Pei, X. Shi, A. LaLonde, H. Wang, L. Chen, G. J. Snyder, Nature 473 (2011) 66.
- W. Liu, X. Tan, K. Yin, H. Liu, X. Tang, J. Shi, Q. Zhang, C. Uher, Phys. Rev. Lett. 108 (2012) 166601.
- S.J. Youn, A.J. Freeman, Phys. Rev. B 63 (2001) 085112
- T.J. Scheidemantel, C. Ambrosch-Draxl, T. Thonhauser, J.V. Badding, J.O. Sofo, Phys. Rev. B 68 (2003) 125210.
- G. Wang, T. Cagin, Phys. Rev. B 76 (2007) 075201.
- E. Kioupakis, M. L. Tiago, S.G. Louie, Phys. Rev. B 82 (2010) 245203.
- B. Ryu, B.-S. Kim, J. E. Lee, S.-J. Joo, B.-K. Min, H. W. Lee, S. D. Park, J. Kor. Phys. Soc. 68 (2016) 115.
- S. Park, B. Ryu, J. Kor. Phys. Soc. 69 (2016) 1683.
- B. Ryu, M.-W. Oh, J. Kor. Cer. Soc. 53 (2016) 273.
- J.K. Lee, S.D. Park, B.S. Kim. M.W. Oh, S.H. Cho, B.K. Min, H.W. Lee, M.H. Kim, Electron. Mater. Lett. 6 (2010) 201
- J.H. Son, M.W. Oh, B.S. Kim, S.D. Park, B.K. Min, M.H. Kim, H.W. Lee, J. Alloys Comp. 566 (2013) 168.
- S.I. Kim, K.H. Lee, H.A. Mun, H.S. Kim, S.W. Hwang, J.W. Roh, D.J. Yang, W.H. Shin, X.H. Li, Y.H. Lee, G.J. Snyder, S.W. Kim, Science 348 (2015) 109.
- M.W. Oh, J.H. Son, B.S. Kim, S.D. Park, B.K. Min, H.W. Lee, J. Appl. Phys. 115 (2014) 133706.
- M.S. Park, J.H. Song, J.E. Medvedeva, M. Kim, I.G. Kim, A.J. Freeman, Phys. Rev. B 81 (2010) 155211.
- N.F. Hinsche, B.Y. Yavorsky, I. Mertig, P. Zahn, Phys. Rev. B 84 (2011) 165214.
- X. Luo, M. B. Sullivan, S.Y. Quek, Phys. Rev. B 86 (2012) 184111.
- L.-P. Hu, T.-J. Zhu, Y.-G. Wang, H.-H. Xie, Z.-J. Xu, X.-B. Zhao, NPG Asia Mater. 6 (2014) e88.
- H.Y. Lv, H.J. Liu, L. Pan, Y.W. Wen, X.J. Tan, J. Shi, X.F. Tang, Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 142101.
- M.W. Oh, B. Ryu, J.E. Lee, S.J. Joo, B.S. Kim, S.D. Park, B.K. Min, H.W. Lee, J. Nanoelectron. Optoelectron. 10 (2015) 391.
- P. Hohenberg, W. Kohn, Phys. Rev. 136 (1964) B864.
- W. Kohn, L.J. Sham, Phys. Rev. 140 (1965) A1133.
- P. E. Blöchl, Phys. Rev. B 50 (1994) 17953.
- J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77 (1996) 3865.
- G. Kresse, J. Furthmüller, Phys. Rev. B 54 (1996) 11169.
- G. Kresse, D. Joubert, Phys. Rev. B 59 (1999) 1758.
- G.K.H. Madsen, D.J. Singh, Comput. Phys. Commun. 175 (2006) 67.
- Interdisciplinary Centre for Advanced Materials Simulation, BOLTZTRAP program download, http://www.icams.de/content/research/software-development/boltztrap/, 2017 (accessed 17.04.05).
- J.-H. Bahk, A. Shakouri, Phys. Rev. B 93 (2016) 165209.
- H.J. Goldsmid, Introduction to Thermoelectricity, Springer, 2010, pp. 51-53.
- I.G. Austin, Proc. Phys. Soc. London 72 (1958) 545.
- H. Landolt, R. Börnstein, Landolt-Börnstein – Group III Condensed Matter, 41C, 1998, pp. 1-6.
- Y.S. Hor, A. Richardella, P. Roushan, Y. Xia, J.G. Checkelsky, A. Yazdani, M.Z. Hasan, N.P. Ong, R.J. Cava, Phys. Rev. B 79 (2009) 195208.
- D. Parker, D.J. Singh, Phys. Rev. X 1 (2011) 021005.
- O.V. Yzayev, E. Kioupakis, J.E. Moore, S.G. Louie, Phys. Rev. B 85 (2012) 161101(R).
- B. Poudel, Q. Hao, Y. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Chen, J. Liu, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Z. Ren, Science 320 (2008) 634.
- S. Hwang, S.I. Kim, K. Ahn, J.W. Roh, D.J. Yang, S. M. Lee, K.H. Lee, J. Electron. Mater. 42 (2013) 1411.
- K.H. Lee, S.-M. Choi, J.W. Roh, S. Hwang, S.I. Kim, W.H. Shin, H.J. Park, J.H Lee, S.W. Kim, D.J. yang, J. Electron. Mater. 44 (2015) 1531.
- J.K. Lee, personal communication.
- G.-E. Lee, Synthesis and Thermoelectric Properties of Bi2Te3-Bi2Se3 Solid Solutions, Thesis, Korea National University of Transportation, 25015.
- J.H. Son, personal communication.
- G.-E. Lee, personal communication.]
- S.B. Zhang, J.E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 67 (1991) 2339.
- B. Ryu, M.-W. Oh, J.K. Lee, J.E. Lee, S.-J. Joo, B.-S. Kim, B.-K. Min, H.-W. Lee, S.D. Park, J. Appl. Phys. 118 (2015) 015705.
- B.Y. Yavorsky, N.F. Hinsche, I. Mertig, P. Zhan, Phys. Rev. B 84 (2011) 165208.
- W.-S. Liu, Q. Zhang, Y. Lan, S. Chen, X. Yan, Q. Zhang, H. Wang, D. Wang, G. Chen, Z. Ren, Adv. Energy Mater. 1 (2011) 577.
- G.-E. Lee, I-.H. Kim, Y. S. Lim, W.-S. Seo, B.-J. Choi, C.-W. Hwang, J. Kor. Phsy. Soc. 64 (2014) 1692.
- G.-E. Lee, I.-H. Kim, Y. S. Lim, W.-S. Seo, B.-J. Choi, C.-W. Hwang, J. Kor. Phys. Soc. 65 (2014) 696.
- K.H. Lee, S.I. Kim, H. Mun, B. Ryu, S.-M. Choi, H.J. Park, S. Hwang, S.W. Kim, J. Mater. Chem. C 3 (2015) 10604.
Expert Q&A: Your Top Questions Answered
Q1: 계산 시 DFT-PBE로 계산된 밴드갭 대신 실험값을 사용한 특별한 이유가 있습니까?
A1: 네, DFT-PBE와 같은 표준적인 GGA 함수는 반도체의 밴드갭을 실제보다 작게 예측하는 경향이 있습니다. 열전 재료에서는 밴드갭의 크기가 고온에서 소수 캐리어에 의한 양극성 수송(bipolar transport) 효과를 결정하는 매우 중요한 변수입니다. 부정확한 밴드갭은 시벡 계수와 파워 팩터의 온도 의존성을 잘못 예측하게 만들 수 있습니다. 따라서 실험적으로 검증된 밴드갭 값을 계산에 적용함으로써, 특히 실제 소자가 작동하는 온도 범위에서 더 신뢰성 높은 열전 특성 예측 결과를 얻을 수 있었습니다.
Q2: 논문에서 BST의 열전 성능이 BTSe보다 우수하다고 언급했는데, 그 물리적 원인은 무엇입니까?
A2: 두 가지 주요 원인이 있습니다. 첫째, 본 연구의 분석에 따르면 BST의 전자 완화 시간(electron relaxation time)이 BTSe보다 더 깁니다. 전기 전도도는 완화 시간에 비례하므로, 이는 BST의 전기적 특성에 유리하게 작용합니다. 둘째, BTSe의 기반이 되는 Bi₂Se₃의 전도대(conduction band)는 밸리 밴드 축퇴(valley band degeneracy)가 작습니다. 밴드 축퇴가 높을수록 동일한 캐리어 농도에서 더 높은 상태 밀도를 제공하여 시벡 계수를 향상시킬 수 있는데, BTSe는 이 점에서 BST보다 불리하여 n형 성능이 상대적으로 낮게 나타납니다.
Q3: Figure 3을 보면 BST의 혼합 엔탈피(Hmix)가 양수(+) 값을 가집니다. 그럼에도 불구하고 이 합금들이 혼합 가능한(miscible) 이유는 무엇입니까?
A3: 혼합 엔탈피가 양수라는 것은 0K에서는 상 분리가 더 선호된다는 의미입니다. 하지만 실제 재료 합성 온도에서는 엔트로피 효과를 고려해야 합니다. 합금의 자유 에너지(G)는 G = Hmix – TSmix (T: 온도, Smix: 혼합 엔트로피)로 표현됩니다. BST의 Hmix는 10 meV 미만으로 매우 작은 양수 값을 가지지만, 온도가 상승하면 TSmix 항이 점점 커져 Hmix를 상쇄하고 전체 자유 에너지를 음수(-)로 만듭니다. 따라서 충분히 높은 온도에서는 엔트로피 효과에 의해 고용체가 안정적으로 형성될 수 있습니다.
Q4: BTSe의 n형 도펀트로 Cl, Br, I는 유망하지만 F는 권장되지 않는 이유는 무엇입니까?
A4: 결함 형성 에너지 계산 결과에 따르면, Cl, Br, I는 Bi₂Te₃ 격자 내에서 Te(2) 자리를 치환하는 것을 가장 선호하며, 이 경우 전자를 내놓는 얕은 주개(shallow donor)로 효과적으로 작용합니다. 반면, F는 Te 자리를 치환하여 주개로 작용할 수도 있지만, 격자간(interstitial) 위치에 들어가 전자를 포획하는 받개(acceptor)로도 쉽게 작용할 수 있습니다. 이처럼 주개와 받개 역할을 동시에 하는 양극성 결함(bipolar defect)은 생성된 전자를 스스로 보상하는 효과(self-compensation)를 일으켜 도핑 효율을 크게 떨어뜨리기 때문에 F는 효과적인 n형 도펀트로 보기 어렵습니다.
Q5: 연구에서 특히 BTSe의 수송 이방성(transport anisotropy)이 크다고 강조했는데, 구조적인 원인은 무엇입니까?
A5: Bi₂Te₃ 계열 물질은 5개의 원자층[Te(1)-Bi-Te(2)-Bi-Te(1)]이 하나의 퀸터플 레이어(quintuple layer, QL)를 형성하고, 이러한 QL들이 층층이 쌓인 구조를 가집니다. QL 내부의 원자 간 결합은 강한 공유 결합인 반면, QL과 QL 사이의 결합은 약한 반데르발스 결합으로 이루어져 있습니다. 이로 인해 전자는 QL 평면 내(in-plane)에서는 쉽게 이동하지만, 평면을 가로지르는 수직 방향(out-of-plane)으로는 이동하기 어려워 전기 전도도의 이방성이 발생합니다. 이 효과는 특히 BTSe에서 더 두드러지게 나타나 면 수직 방향의 전도도가 크게 저하됩니다.
Conclusion: Paving the Way for Higher Quality and Productivity
본 연구는 제1원리 계산이라는 강력한 도구를 사용하여 Bi₂Te₃ 기반 삼원계 합금의 복잡한 열전 특성을 체계적으로 분석했습니다. 핵심적인 발견은 p형 BST와 n형 BTSe의 최적 캐리어 농도를 특정하고, 이를 달성하기 위한 실질적인 합금 및 도핑 전략을 제시했다는 점입니다. 특히 n형 재료의 성능 향상에 필수적인 외부 도펀트로 Cl, Br, I의 유효성을 이론적으로 규명함으로써, 고성능 열전 파워 팩터를 갖는 재료 개발의 명확한 방향을 제시했습니다.
이러한 계산 과학적 접근은 수많은 실험을 통해 최적의 조건을 찾아야 하는 시행착오를 줄여주고, 연구개발의 효율성과 생산성을 크게 향상시킬 수 있습니다.
STI C&D에서는 최신 산업 연구 결과를 적용하여 고객이 더 높은 생산성과 품질을 달성할 수 있도록 지원하는 데 전념하고 있습니다. 이 논문에서 논의된 과제가 귀사의 운영 목표와 일치한다면, 저희 엔지니어링 팀에 연락하여 이러한 원칙을 귀사의 부품에 어떻게 구현할 수 있는지 논의해 보십시오.
(주)에스티아이씨앤디에서는 고객이 수치해석을 직접 수행하고 싶지만 경험이 없거나, 시간이 없어서 용역을 통해 수치해석 결과를 얻고자 하는 경우 전문 엔지니어를 통해 CFD consulting services를 제공합니다. 귀하께서 당면하고 있는 연구프로젝트를 최소의 비용으로, 최적의 해결방안을 찾을 수 있도록 지원합니다.
- 연락처 : 02-2026-0450
- 이메일 : flow3d@stikorea.co.kr
Copyright Information
- This content is a summary and analysis based on the paper “Thermoelectric power factor of Bi-Sb-Te and Bi-Te-Se alloys and doping strategy: First-principles study” by “Byungki Ryu, et al.”.
- Source: https://arxiv.org/abs/1704.01786
This material is for informational purposes only. Unauthorized commercial use is prohibited. Copyright © 2025 STI C&D. All rights reserved.



![Figure 2. (a) Current density voltage (J-V) characteristic curves of the two solar cell
where the ‘star ’ indicates the data points from real cell while the continuous lines are
simulated J-V curves that match closely to these curves. (a) Cell-A [12], (b) Cell-B[3]](https://flow3d.co.kr/wp-content/uploads/image-1022.webp)



































































































































































Solution-coated OLED fabrication can be achieved using the above process flow


























있다. 이런 식으로 AMD는 인텔과 코어와 가격으로 정면 대결하기를 원하지만, 인텔은 이런 직접 대결을 최대한 피하고자 한다. editor@itworld.co.kr


























![Figure 2.4 Different designs of mechanical stirrers [Harnby et al. 1997].](https://www.flow3d.co.kr/wp-content/uploads/image-1034-150x150.webp)

















![Fig. 6. Chemical fluctuations analysis around an APB region on a (111) plane in alloy 0Ti. (a) HAADF-STEM image of the ' precipitate with APBs taken along [011] beam direction. (b) Magnified image of white rectangular marked in (a). (c) Composite chemical map of elements Co, Ni, Al, Mo and W. (d)-(h) Net intensity elemental maps of elements Co, Ni, Al, Mo and W. (i) and (j) EDS line scan integrated along the APB in the region marked in (c).](https://www.flow3d.co.kr/wp-content/uploads/image-978-150x150.webp)






























Gridding에 대한 FLOW-3D’의 기본 접근 방식은 deformed, body-fitted grids의 유연성과 단순한 직사각형 그리드의 장점을 결합합니다. 직사각형 컨트롤 요소의 고정 그리드는 간단하고 매우 바람직한 특성을 갖도록(예를 들어, 향상된 정확도, 작은 메모리 크기 요구, 간단한 수치 근사치) 생성 처리됩니다. 이 접근법은 그리드나 형상을 각각 서로 독립적으로 자유롭게 변경 할 수 있기 때문에 “free-gridding”으로 지칭합니다.
FLOW-3D 는 직사각형 격자 내에서 일반 기하학적 영역을 정의하는데 사용되는 












